Design of a charge sensitive preamplifier on high resistivity silicon

نویسندگان
چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

A Low-Noise, Wideband CMOS Charge Sensitive Preamplifier for the High Precision Pixel Detector

A 0.18μm CMOS low-noise wideband charge sensitive preamplifier (CSP) used in a high precision pixel detector was presented in this paper. The preamplifier consists of charge amplification and constant current feedback circuit to accumulate the input charge signal in the feedback capacitor and discharge it by constant current. The open-loop gain of the preamplifier is 52dB at DC, and -3dB bandwi...

متن کامل

a study on the design of bio-ethanol process from date wastes of sistan and baluchistan province

اتانول کاربردهای متنوعی در صنایع لاستیک سازی، رنگسازی، حلالها ومکمل سوخت خودرو دارد. اتانول برخلاف نفت از جمله مواد تجدیدپذیر محسوب می شود که مشکلات زیست محیطی و آلودگی نیز ایجاد نمی کند. استفاده از اتانول به عنوان مکمل سوختخودروها از جمله مهمترین مصارف صنعتی این ماده بشمار می رود. با توجه به این موضوع تحقیق و توسعه در زمینه تولید اتانول با درجه خلوص بالا در سطح جهان، و نه تنها در کشور های پیشر...

Design of Novel High Sensitive MEMS Capacitive Fingerprint Sensor

In this paper a new design of MEMS capacitive fingerprint sensors is presented. The capacitive sensor is made of two parallel plates with air gap. In these sensors, the capacitance changes is very important factor. It is caused by deformation of the upper electrode of sensor. In this study with making slots in upper electrode, using T-shaped protrusion on diaphragm in order to concentrate the f...

متن کامل

Leakage Current Compensation for the 0.13 μm CMOS Charge Sensitive Preamplifier

The active hybrid pixel detector (APD) can be a valuable solution in front-end electronics for radiation sensors. Detection systems with high sensor pixilation can benefit from low power, low parasitic, high front-end channel density, and low cost per channel. In addition, the APDs are characterized by good radiation tolerance [1-3] and can integrate large amount of additional signal processing...

متن کامل

Particle detectors made of high-resistivity Czochralski silicon

We have processed pin-diodes and strip detectors on nand p-type high-resistivity silicon wafers grown by magnetic Czochralski method. The Czochralski silicon (Cz-Si) wafers manufactured by Okmetic Oyj have nominal resistivity of 900O cm and 1.9 kO cm for nand p-type, respectively. The oxygen concentration in these substrates is slightly less than typically in wafers used for integrated circuit ...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: IEEE Transactions on Nuclear Science

سال: 1988

ISSN: 0018-9499,1558-1578

DOI: 10.1109/23.12696